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Si2305CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
0.0 8
I D = 4.4 A, T J = 125 °C
I D = 2 A, T J = 125 °C
10
0.06
I D = 4.4 A, T J = 25 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
I D = 2 A, T J = 25 °C
0.02
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.7
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 250 μ A
25
20
15
10
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
10 0 ms
1 s, 10 s
DC
B V DSS
Limited
1 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64847
S10-0720-Rev. C, 29-Mar-10
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